《碳化硅及其复合材料的制造与应用》系统地阐述了SiC材料的发展与应用，论述了SiC微粉、SiC晶须，纳米线的制造工艺以及相应合成材料的性能。《碳化硅及其复合材料的制造与应用》共6章，主要内容包括：SiC材料概论；SiC粉体改性与应用；SiC晶须增强复合材料；短碳纤维增韧SiC基复合材料；一维SiC纳米材料与复合材料；SiC基陶瓷烧结等。
第1章 SiC材料概论
1．1 SiC的性质
1．2 SiC微粉
1．2．1 SiC粉体制造技术
1．2．2 SiC粉体的应用
1．3 SiC晶须
1．3．1 SiC晶须简介
1．3．2 SiC晶须制备技术
1．4 SiC一维纳米材料
1．4．1 一维SiC纳米材料性质
1．4．2 一维SiC纳米材料制造技术
1．4．3 一维纳米线的生长机理
1．5 SiC陶瓷
1．5．1 SiC陶瓷烧结技术
1．5．2 SiC陶瓷的工程应用
1．6 Cf／SiC基复合材料
1．6．1 Cf／SiC基复合材料简介
1．6．2 Cf／SiC基复合材料的制备
1．6．3 SiC基复合材料的应用
第2章 SiC粉体改性与应用
2．1 SiC粉体改性技术
2．1．1 SiC粉体改性简介
2．1．2 SiC粉体的表面改性技术
2．1．3 SiC颗粒化学镀铜研究实例
2．2 水基SiC陶瓷料浆的稳定行为
2．2．1 料浆的稳定机理
2．2．2 料浆稳定影响因素
2．2．3 SiC水基料浆实例研究
2．3 SiC颗粒掺杂铜基复合材料
2．3．1 SiCp／Cu基封装材料的研究现状
2．3．2 SiCp／Cu基复合材料制造技术
2．3．3 SiCp／Cu基复合材料实例研究
第3章 SiCw增强复合材料
3．1 晶须增韧复合材料界面与性能
3．2 SiCw增强陶瓷基复合材料
3．2．1 SiCw／玻璃陶瓷基复合材料
3．2．2 SiCw／Al2O3基复合材料
3．2．3 SiCw／ZrB2基复合材料
3．2．4 SiCw／MoSi2基复合材料
3．2．5 SiCw／Si3N4基复合材料
3．2．6 SiCw／SiC基复合材料
3．3 SiCw增强高聚物基复合材料
3．3．1 改善晶须／聚合物界面的方法
3．3．2 SiCw改性聚合物研究
3．4 SiCw增强金属基复合材料
3．4．1 金属基复合材料制造技术
3．4．2 SiCw增强镁基复合材料
3．4．3 SiCw增强铜基复合材料
3．4．4 SiCw增强Ti（C，N）基复合材料
3．4．5 SiCw增强铝基复合材料
3．5 SiCw增强铝基复合材料研究实例
3．5．1 金属基复合材料的热残余应力分析
3．5．2 金属基复合材料的热膨胀行为研究
3．5．3 金属基复合材料的微蠕变和回复探讨
3．5．4 SiCw／Al复合材料的制备与表征
3．5．5 SiCw／Al复舍材料热残余应力与变形
3．5．6 SiCw／Al复合材料的热应变
3．5．7 加热过程中SiCw／Al复合材料热膨胀系数与热错配应力
3．5．8 冷却过程中SiCw／Al复合材料热膨胀系数与热错配应力
第4章 短碳纤维增韧SiC基复合材料
4．1 Csf／SiC基复合材料简介
4．2 热压烧结Al2O3／Y2O3系列Cf／SiC陶瓷
4．2．1 烧结温度对Cf／SiC陶瓷性能的影响
4．2．2 助剂比例对Cf／SiC陶瓷性能的影响
4．2．3 碳纤维含量对Cf／SiC陶瓷性能的影响
4．3 短碳纤维增韧SiC复合材料
4．3．1 助剂体系参数的设计
4．3．2 物相组成与微观结构分析
4．3．3 力学性能与断裂机制分析
第5章 一维SiC纳米材料与复合材料
5．1 一维SiC纳米材料基本构型
5．1．1 SiC纳米棒、纳米带与纳米线
5．1．2 SiC纳米管与中空纳米纤维
5．1．3 SiC纳米光缆
5．1．4 SiC纳米阵列
5．2 Csf／SiC纳米线协同增韧SiC复合材料
5．2．1 Csf／SiCnw增韧SiC基复合材料设计
5．2．2 热处理温度的影响
5．2．3 热处理时间的影响
5．2．4 SiC纳米线生长机制
5．2．5 SiC纳米线增韧机制
第6章 SiC基陶瓷的烧结
6．1 SiC陶瓷烧结助剂概论
6．1．1 SiC陶瓷的固相烧结
6．1．2 SiC陶瓷的液相烧结
6．2 无压烧结Al2O3-La2O3-SiC陶瓷
6．2．1 助剂含量对SiC陶瓷性能的影响
6．2．2 烧结温度对SiC陶瓷性能的影响
6．2．3 助剂比例对SiC陶瓷性能的影响
6．3 无压烧结Al2O3-Er2O3-SiC／B4C复相陶瓷
6．3．1 烧结温度对SiC／B4C复相陶瓷的影响
6．3．2 B4C含量对SiC／B4C复相陶瓷的影响
6．4 无压烧结Al2O3-Yb2O3-SiC／B4C复相陶瓷
6．4．1 SiC／B4C陶瓷烧结致密化
6．4．2 SiC／B4C陶瓷相分析与组织观察
6．5 热压Cp／SiC复合材料
6．5．1 Cp／SiC复合材料设计
6．5．2 Cp／SiC复合粉体分析
6．5．3 热压Cp／SiC材料微观结构
6．5．4 热压Cp／SiC材料性能表征
6．5．5 热压Cp／SiC材料氧化行为
参考文献
《碳化硅及其复合材料的制造与应用》：
1.陶瓷粉体原料
陶瓷粉体性质包括粉体纯度、颗粒大小、尺寸分布、表面形貌、颗粒表面荷电行为以及对添加剂的吸附能力等。粉体制备工艺和主要来源的不同将导致粉体表面性质的差异。粉体团聚状态将影响粉体悬浮液的流变性质，尤其是采用湿法成型制备，也将直接影响到整个体系的烧结性能和制品最终性能。陶瓷粉体纯度对料浆乃至陶瓷烧结体性能都有明显作用，尤其是在极端苛刻的条件下使用的高性能结构陶瓷，陶瓷粉体的纯度越高，力学等性能越好。过多杂质将使制备的坯体密度降低，使得最终的烧结制品断裂强度等力学性能大大下降。对于SiC和Si3 N4而言，空气中放置的粉体会与空气中的O2和H2O等发生缓慢反应，在颗粒表面形成富氧层，在颗粒内部形成O元素杂质，同时还可能引入其他杂质离子成分（如Fe2+等）。杂质离子的存在，将会影响溶液中胶体行为，从而影响高固相含量悬浮液体的制备，也将对烧结过程的动力学行为和晶界相的成分和性能产生影响。而对于某些具有规则形状的性能优良的高纯度粉体颗粒而言，只需调整pH值，在不使用外加剂的条件下，便可在较宽pH值范围内制备高固相含量浓悬浮液。在粉体粒径分布相近情况下，SiC粉料的来源不同时，其流变性能相差很大。国产SiC粉纯度不高，在使用分散剂PEI时所形成的料浆最高固相含量的体积分数为40%；德国进口的SiC粉体纯度较高，不使用分散剂，仅调节料浆pH值便可制备固相含量体积分数高达55%的稳定料浆。陶瓷粉体颗粒级配和粒度分布对稳定料浆也产生明显的影响作用。粒径大的粉体能增加流动性，有助于制备高固相含量的料浆，但颗粒之间空隙过大，将难于制备致密而均匀的坯体。同时大粒径粉体表面能比较低，难于提供有利的烧结驱动力，必将提高陶瓷烧结温度；而粒径小的粉体由于具有高的比表面积，导致体系表面能急剧升高，使其成为一个不稳定热力学体系，能提供陶瓷烧结驱动力，降低烧结温度。颗粒间产生范德华力，导致颗粒表面极易与其他原子相结合而成为动力学稳定体系，导致粉体团聚。但就料浆稳定性能而言，使用过多细粉则难于制备高固相含量的料浆。通过设计合理的陶瓷粉体颗粒级配，选择合理的较宽的粒径分布范围和适当颗粒形状，对于高固相含量低黏度稳定浓悬浮液的制备显得尤为重要。就陶瓷粉体而言，制备高固相含量稳定料浆的前提是粉体纯度高、颗粒级配合理且粒度呈现为多峰模型分布。
2.预处理工艺
对于制备高固相含量的陶瓷稳定料浆而言，粉体表面电荷属性对料浆稳定性影响作用明显，粉体颗粒表面以及表面携带的杂质离子的荷电行为对稳定料浆的流变性能影响较大。目前改变粉体表面电荷属性的预处理工艺主要包括液体洗涤、煅烧粉体以及粉体表面包覆等方法。
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