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改性锗半导体物理

改性锗半导体物理

定  价:20 元

        

  • 作者:宋建军 著
  • 出版时间:2021/3/1
  • ISBN:9787560659510
  • 出 版 社:西安电子科技大学出版社
  • 中图法分类:TN304.1 
  • 页码:
  • 纸张:胶版纸
  • 版次:1
  • 开本:16开
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本书共7章,主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习,可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。


本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。



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