本书内容讲述：经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重水电消耗。液态金属印刷半导体技术的出现，以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多类型半导体的大面积低成本印制，由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片，这一模式打破了传统半导体制造

超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一，它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层，突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系（Ron,spVB^2.5），将2.5次方关系降低为1.32次方，甚至是1.03次方关系，被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息，重点介绍了作者在功率超结器件研

单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜SOI基横向IGBT器件（高压厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章：介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

本书以著名光子学家郭光灿院士指出的“书乃明理于本始，惠泽于世人……探微索隐，刻意研精，识其真要，奉献读者”为旨要，以12章成体，以激光单元技术和应用技术为用。首先对各种单元技术结构特点、运转机理等基础知识进行介绍；然后分别介绍激光调制、偏转、调Q、超短脉冲、放大、横模选取、纵模选取、稳频、非线性光学、激光微束等技术，其

本书是一本关于可调谐二极管激光吸收光谱和波长调制光谱技术有机结合的根本原理及应用研究著作，全面系统地阐述可调谐二极管激光吸收光谱和波长调制光谱技术的理论体系，重点凸显了技术体系中所涉及的光路与电路设计方法。全书内容涵盖了红外吸收光谱的基础理论、波长调制光谱的基础理论、波长调制光谱技术的光路结构设计、硬件电路结构设计以及

本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关

硅通孔垂直互连技术是实现三维集成电路与微系统的关键核心技术。硅通孔可以有效缩短芯片间的互连距离，提高互连密度，从而实现更大的带宽、更低的功耗和更小的尺寸。本书以作者多年来在垂直硅通孔结构、模型、制造工艺等方面的研究成果为基础，系统全面地介绍硅通孔制备过程中的关键工艺技术，是一本讲述基于硅工艺的三维垂直互连技术的专著。此

本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章，主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验，并以一款宇航VDMOS器件为实例，详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节

本书共6章,包括绪论、氮化物材料MOCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模技术、新型氮化镓微波功率器件。