本书为《新兴半导体》分册。新兴半导体发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大，被公认为最有发展前景的战略性新兴产业，在消费类电子、5G通讯、新能源汽车、智能电网、航天等领域具有广阔的应用前景。本分册围绕新兴半导体这一“核芯”领域，从高载流子迁移率半导体材料、忆阻半导体材料、新型红外半导体材料及超宽禁带半导体材料

本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片S

"为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域，尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局

以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相关合金）是极为重要的宽禁带半导体材料，这类氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料及器件进行介绍，并系统地讲解了目前广泛应用的氮化物光电器件与氮化物电力电子器件，使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区

半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。

本书以光学/仪表级复合材料为应用背景，以高比模量、高比强度、低膨胀、高导热及高尺寸稳定性等性能为目标，针对中等体积分数SiCp/Al复合材料的制备及性能调控难题，介绍了粉末冶金法制备SiCp/Al复合材料优化工艺，通过碳化硅颗粒尺寸调控实现复合材料的性能改进，进一步介绍了不同碳化硅颗粒尺寸调控下复合材料的力学性能、界面

本书主要内容是介绍TO2光催化剂的局限性，以及利用构筑TiO2基纳米异质结来提高其光电化学性能。具体包括通过水热法、阳极氧化等方法制备m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等纳米异质结光催化剂，分析它们的电荷转移机制和光电化学性能。

本书旨在系统探讨超快光谱在半导体纳米异质结电荷转移与光电化学性能方面的应用，主要内容包括纳米异质结复合体系的构筑与表征，TiO2/Au/Cu2O纳米管复合体系表(界)面紫外光生电荷动力学行为，TiO2/BiVO4纳米管复合体系表(界)面紫外光生电荷动力学行为，TiO2/Mo2S纳米管复合体系表(界)面紫外光生电荷动力学

本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaNHEMT器件物理与电热建模、氮

本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷