本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基Ga

本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里，通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕“史前文明”——电子管时代、“新石器时代”——晶体管时代、“战国时代”——中小规模集成电路时代、“大一统秦朝”——大规模和超大规模集成电路时代、“大唐盛世”——特大规模和巨大规模集成电路时代、“走进新时代”—

本书以最新的科研成果为基础，深入研究了新铁电极化机制的滑移铁电半导体。通过对大量实验数据的分析和理论推导，揭示了滑移铁电半导体的独特性质和应用潜力。同时，结合国内外相关领域的研究进展，为读者提供全面、系统的知识体系。本书通过对多层滑移铁电半导体的深入研究，揭示了其独特的铁电极化翻转模式，即铁电极化在各层之间以逐层翻转的

本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片S

本书为《新兴半导体》分册。新兴半导体发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大，被公认为最有发展前景的战略性新兴产业，在消费类电子、5G通讯、新能源汽车、智能电网、航天等领域具有广阔的应用前景。本分册围绕新兴半导体这一“核芯”领域，从高载流子迁移率半导体材料、忆阻半导体材料、新型红外半导体材料及超宽禁带半导体材料

本书力图全面深入地介绍太阳能电池的原理、技术与应用，为读者提供一本兼具理论深度和实践指导的权威之作。本书详细阐释了太阳能与太阳能电池的基本物理原理与特性，系统梳理了各类太阳能电池的发展脉络，深入探讨了太阳能电池的测试原理与分析方法，重点介绍了太阳能电池性能提升的前沿技术，进一步阐述了光伏发电系统的设计与应用。

本书内容主要内容为概述、IGBT模块电气特性、驱动器设计、IGBT多器件驱动控制技术、驱动器可靠性设计、驱动器试验及测试、大功率IGBT驱动器应用案例。本书系统、深入地阐述了IGBT及其驱动器的技术发展等。

"为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域，尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局

以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相关合金）是极为重要的宽禁带半导体材料，这类氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料及器件进行介绍，并系统地讲解了目前广泛应用的氮化物光电器件与氮化物电力电子器件，使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区

半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。